单项选择题
NPN晶体三极管须满足的的工艺条件（）。
A.发射区高掺杂B.集电结面积远大于发射结面积C.基区很薄D.以上都是
多项选择题 以下参数为放大器基本参数的是（）。
单项选择题 下列对共源放大器的描述正确的是（）。
多项选择题 电路如图所示，以下说法正确的是（）。
