判断题
涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
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判断题 实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
判断题 中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
判断题 CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。