单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域？（）
A.可变电阻区B.截止区C.预夹断临界点D.恒流区（饱和区、放大工作区）
单项选择题 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）
多项选择题 如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有（）。
单项选择题 场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S（）。
