填空题
随着信号频率的提高,晶体管的幅度会(),相角会()。
下降;滞后
填空题 无源基区重掺杂的目的是()。
填空题 基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。
填空题 当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。