多项选择题
由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（）
A.氧沉淀 B.氧分离 C.氧施主 D.二次缺陷
多项选择题 以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。
多项选择题 通常用来制作靶的金属材料有（）
多项选择题 抛光时对于样品表面有（）要求。
