问答题 P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

问答题 试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。

问答题 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF/μm2，扩散区电容Cja=10-4pF/μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。