问答题
制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当）？
问答题 已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为cm2/s和cm2/s试计算1000℃的扩散系数，并对其差别进行解释
问答题 欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点（2600℃）时都是非本质扩散，要求三价离子有什么样的浓度？试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV
问答题 浓度差会引起扩散，扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行？为什么？
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