单项选择题
P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）
A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N2OD.SiH4、N2
单项选择题 溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）
单项选择题 P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）
单项选择题 溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材（）
