问答题
为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等?
问答题 一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质,其电容为2.4-6μF,损耗因子tgδ为0.02。求:相对介电常数;损耗因素。
问答题 金红石(TiO2)的介电常数是100,求气孔率为10%的一块金红石陶瓷介质的介电常数。
问答题 讨论动态磁化过程中,磁损耗与频率的关系。