问答题
列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。
提高芯片性能：器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片？
填空题 为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
填空题 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
