单项选择题
不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。
A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
单项选择题 双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
单项选择题 对合金管和扩散管beta 的影响因素，下列说法中正确的是（）。
单项选择题 关于PN结势垒电容和扩散电容，下列说法中正确的是（）。
