问答题 轻掺杂的硅样品在室外温下，外加电压使电子的漂移速度是它的热运动速度 的十分之一，一个电子由于漂移而通过1μm区域中的平均碰撞次数和此时加在这个区域的电压为多少？

问答题 （1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σmin的表达式。 （2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）

问答题 分别计算有下列杂质的硅，在室温时的载流子浓度和电阻率； （1）3×1015硼原子/cm3  （2）1.3×1016硼原子/cm3+1.0×1016磷原子/cm3  （3）1.3×1016磷原子/cm3+1.0×1016硼原子/cm3+1.0×1017砷原子/cm3