问答题
解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源。
问答题 列出沉积的5种主要技术。
问答题 列举并描述薄膜生长的三个阶段。
问答题 RTP是热壁系统还是冷壁系统？
