单项选择题
MOSFET的温度特性体现为：（）。
A.温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高 B.温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降 C.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高 D.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
多项选择题 以下哪几项是集成电路制作工艺的（）。
多项选择题 集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。
填空题 为了进行时序验证、功耗验证、信号完整性验证及电子迁移性验证，需要从版图结果中提取（）。
