填空题
DRAM 比SRAM 的读写速度慢的原因是因为:为了保持数据,需要定时地()。
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填空题 按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线,片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此,片外总线又称为()总线。
填空题 存储器按存储介质分类,可分为磁表面和()存储器。
填空题 反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器()。