问答题
N阱CMOS主要工艺步骤是什么？
1、底硅片的选择； 2、作n阱场区氧化； 3、作硅栅→形成源、漏区； 4、成金属互连线。
问答题 缩小特征尺寸的目的是什么？
问答题 摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？
问答题 怎样实现四选一多路器？
