单项选择题
电路如图所示,电容C2远大于C2和C,其中满足自激振荡相位条件的是下列图中()。
A.(a) B.(b) C.(c)
单项选择题 已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA,集基反向饱和电流ICBO=4μA,如要获得2.69mA的集电极电流,则基极电流IB应为()。
单项选择题 逻辑电路如图所示,当A=“0”,B=“1”时,C脉冲来到后D触发器()。
单项选择题 电路如图所示,晶体管β=50,UBE=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5kΩ,UCC=9V,当RW=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA,此时应把RW调整为()